المرشحات
المرشحات
الترانزستورات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7342TRPBF |
موسفيت MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
|
آي آر / إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDG6332C |
MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 |
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SIRA14DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI1050X-T1-GE3 |
موسفيت 8.0 فولت 1.34 أمبير 0.236 واط 86 مللي أوم @ 4.5 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
موسفيت ان تشان 600 فولت 6.2 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 |
موسفيت 20 فولت 8.0 أمبير 3.1 وات 18 مللي أوم @ 4.5 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MTI85W100GC |
MOSFET جسر كامل ثلاثي الطور مزود بوحدات MOSFET الخندقية
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FDS6680AS |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
Si9435BDY-T1-E3 |
موسفيت 30 فولت 5.7 أمبير 0.042 أوم
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
ZXMP4A16GTA |
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
إصدار IPD90N04S4-03 |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRL7486MTRPbF |
MOSFET 40V قناة N واحدة HEXFET
|
آي آر / إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SPW32N50C3 |
موسفيت N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FCH76N60NF |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET، SupreMOS
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFP27N60KPBF |
موسفيت ان تشان 600 فولت 27 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPW65R080CFD |
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW60R099C6 |
موسفيت N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPB60R099C6 |
موسفيت N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDA50N50 |
موسفيت 500 فولت NCH موسفيت
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDPF18N20FT |
موسفيت يونيفيت 200 فولت
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDD86540 |
موسفيت 60 فولت 50 أمبير 4.1 أوم NCh PowerTrench MOSFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
BSC014N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SIA906EDJ-T1-GE3 |
موسفيت 20 فولت 4.5 أمبير 7.8 وات 46 مللي أوم @ 4.5 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
PMV213SN،215 |
شريط موسفيت 13 PWR-MOS
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
115 |
موسفيت N-CH 60 فولت 320 مللي أمبير
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
BSC014N06NS |
موسفيت N-Ch 60 فولت 100 أمبير TDSON-8 أوبتيموس
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDY1002PZ |
موسفيت 2P-CH 20 فولت 0.83 أمبير SC89-6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMB3800N |
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A ميكروفيت
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDD8424H |
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRF7341TRPBF |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDS89161 |
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMQ8403 |
موسفيت 4N-CH 100 فولت 3.1 أمبير 12-MLP
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMN26D0UDJ-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMG1024UV-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMC3021LSD-13 |
MOSFET N / P-CH 30V 8.5A / 7A 8SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDS9926A |
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRF7317TRPBF |
موسفيت N/P-CH 20V 8-SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
NTHD4102PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A رقاقة
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMP3036SSD-13 |
موسفيت 2P-CH 30 فولت 10.6 أمبير 8-SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDS6898AZ |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMS3660S |
موسفيت 2N-CH 30 فولت 13 أمبير/30 أمبير 8-PQFN
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRF7380TRPBF |
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMC2400UV-7 |
موسفيت N / P-CH 20 فولت SOT563
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMG6601LVT-7 |
موسفيت N / P-CH 30V 26TSOT
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
NTJD4152PT1G |
موسفيت 2P-CH 20 فولت 0.88 أمبير SOT-363
|
واحد
|
|
|
|
|
|
NDC7002N |
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMN5L06DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
|
الديودات المدمجة
|
|
|