المرشحات
المرشحات
الترانزستورات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN601TK-7 |
موسفيت N-CH 60 فولت 300 مللي أمبير SOT-523
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMP6185SE-13 |
موسفيت PCH 60V 3A SOT223
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
NTLJS4114NT1G |
موسفيت N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDS6630A |
موسفيت N-CH 30V 6.5A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMP6180SK3-13 |
موسفيت P-CH 60 فولت 14 أمبير TO252
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDD7N20TM |
موسفيت N-CH 200V 5A D-PAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IPD50N04S4L-08 |
موسفيت N-CH 40 فولت 50 أمبير TO252-3-313
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
قوات الدفاع عن الديمقراطية306P |
موسفيت P-CH 12 فولت 6.7 أمبير DPAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FQD8P10TM |
موسفيت P-CH 100 فولت 6.6 أمبير DPAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
BS170 |
موسفيت N-CH 60V 500MA TO-92
|
واحد
|
|
|
|
|
|
STD44N4LF6 |
موسفيت N-CH 40V 44A DPAK
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
قوات الدفاع عن الديمقراطية3860 |
موسفيت N-CH 100 فولت 6.2 أمبير DPAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDS86267P |
موسفيت P-CH 150 فولت
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRFB7545PBF |
موسفيت N CH 60V 95A TO-220AB
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRF100S201 |
موسفيت N-CH 100 فولت 192 أمبير D2PAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRFB7430PBF |
MOSFET N CH 40V 195A TO220
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AUIRF5210STRL |
موسفيت P-CH 100 فولت 38 أمبير D2PAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRFU3607PBF |
موسفيت N-CH 75V 56A I-PAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRFSL3306PBF |
موسفيت N-CH 60 فولت 120 أمبير TO-262
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRFR4510TRPBF |
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
أويرف4905 |
موسفيت P-CH 55 فولت 74 أمبير TO220AB
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRF300P226 |
موسفيت آي إف إكس أوبتيموس TO247
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRFB3006GPBF |
موسفيت N-CH 60 فولت 195 أمبير TO220AB
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
2SK2837 |
نوع MOS لقناة السيليكون N (π−MOSV)
|
توشيبا أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
2SK2225-E |
MOSFET 2A، 1500 فولت، TO-3PFM، خالي من الرصاص
|
رينيساس إلكترونيات
|
|
|
|
|
|
SQS401EN-T1-GE3 |
MOSFET 40V 16A 62.5W P-Ch السيارات
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXFN180N10 |
موسفيت 180 أمبير 100 فولت 0.008 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFN230N10 |
موسفيت 230 أمبير 100 فولت 0.006 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
HAT2160H-EL-E |
موسفيت موسفيت
|
رينيساس إلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IXFB50N80Q2 |
موسفيت 50 أمبير 800 فولت
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
NX138AKSX |
موسفيت NX138AKS/SC-88/ريل 7 بوصة Q1/T1 *
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
IXFN73N30 |
موسفيت 300 فولت 73 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
CSD88537ND |
MOSFET 60-V طاقة MOSFET مزدوجة القناة
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
IXFH20N100P |
موسفيت 20 أمبير 1000 فولت 1 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
PMZB290UNE2YL |
MOSFET 20V N-Channel Trench MOSFET
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
إصدار IPD30N03S4L-14 |
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 |
موسفيت دوا lN-Ch مع شوتكي 30 فولت 18.5/11.5 مللي أوم
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
موسفيت N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDP33N25 |
MOSFET 250V N-قناة MOSFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPB014N06N |
موسفيت N-Ch 60 فولت 180 أمبير D2PAK-6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPP60R099P6 |
MOSFET سعر/أداء عالي الطاقة
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FQA9N90C |
MOSFET 900V N-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDS89161LZ |
MOSFET PT5 100V المستوى المنطقي مع زينر
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFL014TRPBF |
موسفيت ان تشان 60 فولت 2.7 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMHC3025LSD-13 |
MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IXFK66N85X |
MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTK82N25P |
موسفيت 82 أمبير 250 فولت 0.035 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPD100N04S4-02 |
MOSFET N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FQP6N40C |
MOSFET 400V N-Ch Q-FET سلسلة C المتقدمة
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
2N7002BKS،115 |
MOSFET ثنائي القناة N 60 فولت 300 مللي أمبير
|
نيكسبيريا
|
|
|