المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة ف
التكنولوجيا:
سي
المعرف - تيار التصريف المستمر:
- 6.4 أ
أسلوب التركيب:
SMD / SMT
الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:
- 55 ج
الحزمة / الحقيبة:
SOT-223-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
وضع القناة:
التعزيز
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
- 40 فولت
التعبئة:
بكرة
فئة المنتج:
موسفيت
عدد القنوات:
1 قناة
Vgs - جهد مصدر البوابة:
20 فولت
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
100 مللي أوم
المصنع:
الديودات المدمجة
مقدمة
ZXMP4A16GTA،منديودزالمحدودة، هو MOSFET. ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products

DMG1012T-7
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523

DMG2302UK-7
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMP2008UFG-7
MOSFET 20V P-CH MOSFET

DMP6023LFGQ-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

2N7002DW-7-F
MOSFET 60V 200mW

BSS138DW-7-F
MOSFET 50V 200mW

BSS138W-7-F
MOSFET 50V 200mW

DMTH6005LK3Q-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

BSS84-7-F
MOSFET -50V 250mW

DMN61D9UW-7
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
|
|
![]() |
DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
|
|
![]() |
DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
|
|
![]() |
DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
![]() |
2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
|
|
![]() |
BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
![]() |
BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
![]() |
DMTH6005LK3Q-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
![]() |
BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
|
|
![]() |
DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: