IXTP60N20T
الصانع:
IXYS
الوصف:
دوائر MOSFET الخندقية، 200 فولت، 60 أمبير
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N
التكنولوجيا:
سي
فئة المنتج:
موسفيت
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
الحزمة / الحقيبة:
TO-220-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 175 ج
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
200 فولت
التعبئة:
أنبوب
المعرف - تيار التصريف المستمر:
60 أ
عدد القنوات:
1 قناة
Vgs - جهد مصدر البوابة:
20 فولت
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
32 مللي أوم
المصنع:
إكسيس
مقدمة
الـ IXTP60N20T،من IXYS،هو MOSFET. ما نقدمه لديه سعر تنافسي في السوق العالمية،والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
إكس إف إن 520 إن 075 تي2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
إكس إف إن 520 إن 075 تي2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: