المرشحات
المرشحات
الترانزستورات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1694T106 |
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
NJW0281G |
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FZT751TA |
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FF300R12KS4 |
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
D45H8G |
|
واحد
|
|
|
|
|
|
2SD1815S-TL-E |
|
واحد
|
|
|
|
|
|
2SC5569-TD-E |
|
واحد
|
|
|
|
|
|
BC846ب،235 |
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
2SA1708S-AN |
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FZT855TA |
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
MMBTA06-7-F |
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FZT951TA |
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
BCP56-16،115 |
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
2SB1260T100R |
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
FZT753TA |
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
MJD31CT4G |
|
واحد
|
|
|
|
|
|
2SD2704KT146 |
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
2SC5824T100R |
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
2SC5866TLQ |
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
2SA2125-TD-E |
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FCX493TA |
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
BC857CW،115 |
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
MJD45H11T4G |
|
واحد
|
|
|
|
|
|
BC856BW،115 |
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
SI7540DP-T1-E3 |
MOSFET N- وP-CHANNEL 30V
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXFX32N50Q |
موسفيت 32 أمبير 500 فولت 0.15 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
التاسع13N110 |
موسفيت 13 أمبير 1100 فولت 0.92 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH26N50 |
موسفيت ديود Id26 BVdass500
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK64N60P |
موسفيت 600 فولت 64 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK30N100Q2 |
موسفيت 30 أمبير 1000 فولت 0.35 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
2SK1058-E |
موسفيت قوة موسفيت
|
رينيساس إلكترونيات
|
|
|
|
|
|
FQP20N06L |
MOSFET 60V N-قناة QFET المستوى المنطقي
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
NX1029X،115 |
MOSFET 60/50 فولت، 330/170 مللي أمبير N/P-ch خندق MOSFET
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
2N7002VC-7 |
MOSFET ثنائي القناة N
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A معرف AEC-Q101 مؤهل
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMP1045U-7 |
موسفيت موسفيت بفدس
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IPW60R037P7 |
MOSFET HIGH POWER_NEW
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
PMZ350UPEYL |
MOSFET 20V P-channel خندق MOSFET
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
موسفيت N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDMC86102 |
MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
(أبت 94ن 65ب2سي3ج) |
MOSFET قوة MOSFET - CoolMOS
|
ميكرو سيمي
|
|
|
|
|
|
TPH1400ANH، L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
IRF7103TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDC637AN |
موسفيت SSOT-6 N-CH 20 فولت
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXFR40N90P |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPD85P04P4L-06 |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPB180N04S4-H0 |
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRF9540NSTRRPBF |
MOSFET 1 P-CH -100V سداسي 117 مللي أوم 64.7nC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CPC3701CTR |
MOSFET N قناة FET 250 فولت، 360 مللي أمبير
|
الدوائر المتكاملة IXYS
|
|
|
|
|
|
SI4554DY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|