المرشحات
المرشحات
موسفيت
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SK1058-E |
موسفيت قوة موسفيت
|
رينيساس إلكترونيات
|
|
|
|
|
|
FQP20N06L |
MOSFET 60V N-قناة QFET المستوى المنطقي
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
NX1029X،115 |
MOSFET 60/50 فولت، 330/170 مللي أمبير N/P-ch خندق MOSFET
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
2N7002VC-7 |
MOSFET ثنائي القناة N
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SQJA86EP-T1_GE3 |
MOSFET 80V Vds 30A معرف AEC-Q101 مؤهل
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMP1045U-7 |
موسفيت موسفيت بفدس
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IPW60R037P7 |
MOSFET HIGH POWER_NEW
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
PMZ350UPEYL |
MOSFET 20V P-channel خندق MOSFET
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
موسفيت N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDMC86102 |
MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
(أبت 94ن 65ب2سي3ج) |
MOSFET قوة MOSFET - CoolMOS
|
ميكرو سيمي
|
|
|
|
|
|
TPH1400ANH، L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
IRF7103TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDC637AN |
موسفيت SSOT-6 N-CH 20 فولت
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXFR40N90P |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPD85P04P4L-06 |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPB180N04S4-H0 |
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRF9540NSTRRPBF |
MOSFET 1 P-CH -100V سداسي 117 مللي أوم 64.7nC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
CPC3701CTR |
MOSFET N قناة FET 250 فولت، 360 مللي أمبير
|
الدوائر المتكاملة IXYS
|
|
|
|
|
|
SI4554DY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 8A/8A 3.1W/3.2W N&P-CH
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRF7342TRPBF |
موسفيت MOSFT DUAL PCh -55V 3.4A
|
آي آر / إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDG6332C |
MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SI2365EDS-T1-GE3 |
MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SIRA14DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI1050X-T1-GE3 |
موسفيت 8.0 فولت 1.34 أمبير 0.236 واط 86 مللي أوم @ 4.5 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
موسفيت ان تشان 600 فولت 6.2 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI9926CDY-T1-GE3 |
موسفيت 20 فولت 8.0 أمبير 3.1 وات 18 مللي أوم @ 4.5 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
MTI85W100GC |
MOSFET جسر كامل ثلاثي الطور مزود بوحدات MOSFET الخندقية
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FDS6680AS |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
Si9435BDY-T1-E3 |
موسفيت 30 فولت 5.7 أمبير 0.042 أوم
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
ZXMP4A16GTA |
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
إصدار IPD90N04S4-03 |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRL7486MTRPbF |
MOSFET 40V قناة N واحدة HEXFET
|
آي آر / إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SPW32N50C3 |
موسفيت N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FCH76N60NF |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET، SupreMOS
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFP27N60KPBF |
موسفيت ان تشان 600 فولت 27 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPW65R080CFD |
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW60R099C6 |
موسفيت N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPB60R099C6 |
موسفيت N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDA50N50 |
موسفيت 500 فولت NCH موسفيت
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDPF18N20FT |
موسفيت يونيفيت 200 فولت
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDD86540 |
موسفيت 60 فولت 50 أمبير 4.1 أوم NCh PowerTrench MOSFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
BSC014N04LS |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SIA906EDJ-T1-GE3 |
موسفيت 20 فولت 4.5 أمبير 7.8 وات 46 مللي أوم @ 4.5 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
PMV213SN،215 |
شريط موسفيت 13 PWR-MOS
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
115 |
موسفيت N-CH 60 فولت 320 مللي أمبير
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
BSC014N06NS |
موسفيت N-Ch 60 فولت 100 أمبير TDSON-8 أوبتيموس
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDY1002PZ |
موسفيت 2P-CH 20 فولت 0.83 أمبير SC89-6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMB3800N |
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A ميكروفيت
|
واحد
|
|
|