IPD25N06S4L-30
الصانع:
تقنيات إنفينيون
الوصف:
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
فئة المنتج:
موسفيت
المعرف - تيار التصريف المستمر:
25 أ
Pd - تبديد القوة:
29 واط
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
60 فولت
التعبئة:
شريط وبكرة (TR)
Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة:
1.2 فولت
الحزمة:
TO-252
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
23 مللي أوم
بنفايات:
متوفر باللون الأخضر
كمية حزمة المصنع:
2500
Vgs - جهد مصدر البوابة:
- 16 فولت ، +16 فولت
Qg - رسوم البوابة:
16.3 ن.س
المصنع:
تقنيات إنفينيون
مقدمة
الجهاز IPD25N06S4L-30 من شركة Infineon Technologies، هو MOSFET. ما نقدمه لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
إصدار IPD75N04S4-06
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
إصدار IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: