NX1029X،115
الصانع:
نيكسبيريا
الوصف:
MOSFET 60/50 فولت، 330/170 مللي أمبير N/P-ch خندق MOSFET
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N، قناة P
التكنولوجيا:
سي
المعرف - تيار التصريف المستمر:
5 أ
أسلوب التركيب:
SMD / SMT
الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:
- 55 ج
الحزمة / الحقيبة:
سوت-666-6
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
وضع القناة:
التعزيز
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
60 فولت، - 50 فولت
التعبئة:
بكرة
Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة:
1.6 فولت، - 1.6 فولت
فئة المنتج:
موسفيت
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
1 أوم
عدد القنوات:
2 قناة
Vgs - جهد مصدر البوابة:
+/- 20 فولت، +/- 20 فولت
Qg - رسوم البوابة:
0.2 نانو سي، 0.12 نانو سي
المصنع:
نيكسبريا
مقدمة
NX1029X،115،من Nexperia،هو MOSFET.ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية،التي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل،الرجاء الاتصال بنا من خلال الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال اقتباس لنا!
منتجات ذات صلة
BSS123،215
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
بي ام جي دي 175 اكس نيكس
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
115
MOSFET P-CH -50 V -160 mA
NX3008NBK،215
MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET
NX7002BKR
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET
بي إس إس 84,215
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
NX7002BKSX
MOSFET 60V, Dual N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKS،115
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
NX7002AK
MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET
بي إس إس 138 بي كيه، 215
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
BSS123،215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
|
|
|
|
بي ام جي دي 175 اكس نيكس |
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
|
|
|
|
115 |
MOSFET P-CH -50 V -160 mA
|
|
|
|
NX3008NBK،215 |
MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET
|
|
|
|
NX7002BKR |
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET
|
|
|
|
بي إس إس 84,215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
|
|
|
|
NX7002BKSX |
MOSFET 60V, Dual N-channel Trench MOSFET
|
|
|
|
NX3008NBKS،115 |
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
|
|
|
|
NX7002AK |
MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET
|
|
|
|
بي إس إس 138 بي كيه، 215 |
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: