المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة ف
التكنولوجيا:
سي
فئة المنتج:
موسفيت
أسلوب التركيب:
SMD / SMT
الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:
- 55 ج
الحزمة / الحقيبة:
أتباك-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
- 40 فولت
التعبئة:
بكرة
المعرف - تيار التصريف المستمر:
- 30 أ
عدد القنوات:
1 قناة
Vgs - جهد مصدر البوابة:
20 فولت
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
25 مللي أوم
المصنع:
نصف
مقدمة
الـ ATP106-TL-H،من onsemi،هو MOSFET. ما نعرضه لديه سعر تنافسي في السوق العالمية،والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة

NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH

2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C

FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series

NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A

NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel

FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO

FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH

FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

FQP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
![]() |
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
![]() |
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
![]() |
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
![]() |
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
![]() |
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
![]() |
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
![]() |
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
![]() |
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
|
![]() |
FQP50N06 |
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: