المرشحات
المرشحات
الترانزستورات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXGN120N60A3D1 |
IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXXN110N65C4H1 |
IGBT وزارة الدفاع 650V 210A 750W SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXDN55N120D1 |
IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXYN100N120C3H1 |
IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXGN100N170 |
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
MIXA40WB1200TED |
IGBT MODULE 1200V 60A 195W E2
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXYN100N120C3 |
IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXA60IF1200NA |
IGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXXN110N65B4H1 |
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
DTC123JKA |
محول 200MA متحيز مسبقًا SOT-23
|
ريكترون الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
DTC123JUA |
TRANS PRE-BIASED 200MA SOT-323
|
ريكترون الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
STP120N4F6 |
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
SI4483ADY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
NTFS5116PLTAG |
موسفيت P-CH 60V 5.7A 8WDFN
|
واحد
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
القواعد المتعلقة بالتحويلات |
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
|
أدوات تكساس
|
|
|
|
|
|
FQP50N06L |
MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMS2672 |
موسفيت N-CH 200 فولت 3.7 أمبير/20 أمبير 8MLP
|
واحد
|
|
|
|
|
|
2N7002T-7-F |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
ZVP3310FTA |
MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
IRF9540PBF |
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
IRF840PBF |
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDS8880 |
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
موسفيت N-CH 60V 2.7A SOT23
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI1012R-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
DMG2301L-7 |
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
2N7002K-7 |
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
فكبف380N60E |
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SQM120P10_10M1LGE3 |
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
DMN2300U-7 |
MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDMS86163P |
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SUD50P06-15-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI7155DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
NDT3055L |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMS10C4D2N |
MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMC7692S |
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRF9520PBF |
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
PMV100EPAR |
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
DMG3404L-7 |
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SI2337DS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI3459BDV-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
DMP2022LSS-13 |
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SI2302CDS-T1-E3 |
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
DMP2120U-7 |
موسفيت P-CH 20 فولت 3.8 أمبير سوت23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
2N7002W-7-F |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
RUM002N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
SCT3030ALGC11 |
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDC602P |
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
ZXMP6A17GQTA |
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
|
الديودات المدمجة
|
|
|