SI1012R-T1-GE3
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.75 nC @ 4.5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±6V
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Supplier Device Package:
SC-75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع FET:
قناة N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
150 ميجاواط (تا)
Package / Case:
SC-75, SOT-416
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
20 فولت
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
500mA (Ta)
التكنولوجيا:
MOSFET (أكسيد المعادن)
Base Product Number:
SI1012
مقدمة
القناة الشمالية 20 فولت 500mA (Ta) 150mW (Ta) سطح الصعود SC-75A
منتجات ذات صلة

2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

الـ SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
![]() |
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
![]() |
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
![]() |
الـ SISA72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: