FDS8880
الصانع:
واحد
الوصف:
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، FETs المفردة، MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs (th) (Max) @ Id:
2.5 فولت @ 250 أوم
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / الحقيبة:
8-SOIC (0.154، 3.90mm العرض)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
30 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10mOhm @ 11.6A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1235 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11.6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDS88
مقدمة
قناة N 30 V 11.6A (Ta) 2.5W (Ta) سطح الصعود 8-SOIC
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: