المرشحات
المرشحات
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB52N20TM |
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SIR826DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDB2552 |
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SIR470DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SQD40P10-40L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
IRF9510PBF |
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
قوات الدفاع عن الديمقراطية2572 |
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
|
واحد
|
|
|
|
|
|
PSMN013-100YSEX |
MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
SI4401BDY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SIS402DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SIR182DP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI7415DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI7611DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDD6637 |
MOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DN2540N8-G |
MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
|
تكنولوجيا الرقائق
|
|
|
|
|
|
IRFR9310TRPBF |
موسفيت P-CH 400V 1.8A DPAK
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI7113DN-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SUD50P04-08-GE3 |
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI7454DDP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI4090DY-T1-GE3 |
موسفيت N-CH 100 فولت 19.7 أمبير 8SO
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SIS468DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDMC6679AZ |
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
|
واحد
|
|
|
|
|
|
إيرفل9110ترببف |
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDS6679AZ |
موسفيت P-CH 30V 13A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SI4056DY-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FQT7N10LTF |
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SIA449DJ-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SIS488DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI2323DS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDD120AN15A0 |
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
ZXMP6A17GTA |
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
NDT3055 |
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SQ2309ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
NVGS5120PT1G |
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
|
واحد
|
|
|
|
|
|
ZXMP6A17E6TA |
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SI2323DDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI2323DS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
BSS84LT1G |
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDC655BN |
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
NTR4171PT1G |
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SI2301CDS-T1-E3 |
موسفيت P-CH 20 فولت 3.1 أمبير SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDN337N |
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
NTR0202PLT1G |
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
BSS138LT1G |
موسفيت N-CH 50 فولت 200 مللي أمبير SOT23-3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
NTR4003NT1G |
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
إكس إف إن 80 إن 50 كيو3 |
موسفيت N-CH 500 فولت 63 أمبير SOT227B
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFX32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
|
IXYS
|
|
|