أرسل رسالة

SI7113DN-T1-GE3

الصانع:
(فيشاي سليكونيكس)
الوصف:
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
55 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
134mOhm @ 4A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
100 فولت
Vgs (Max):
±20V
حالة المنتج:
نشط
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1480 pF @ 50 V
نوع التثبيت:
جبل السطح
Series:
TrenchFET®
حزمة أجهزة المورد:
باورباك® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
13.2A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7113
مقدمة
قناة P 100 فولت 13.2A (Tc) 3.7W (Ta) ، 52W (Tc) سطح الصعود PowerPAK® 1212-8
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: