أرسل رسالة

IXFX32N100Q3

الصانع:
IXYS
الوصف:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3 Variant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
195 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
320mOhm @ 16A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9940 pF @ 25 V
نوع التثبيت:
من خلال الثقب
Series:
HiPerFET™, Q3 Class
حزمة أجهزة المورد:
PLUS247 ™ -3
Mfr:
IXYS
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
32A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1250W (Tc)
التكنولوجيا:
MOSFET (أكسيد المعادن)
Base Product Number:
IXFX32
مقدمة
القناة الشمالية 1000 فولت 32A (Tc) 1250W (Tc) من خلال الثقب PLUS247TM-3
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: