أرسل رسالة

SQ2389ES-T1_GE3

الصانع:
(فيشاي سليكونيكس)
الوصف:
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
94mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
P-Channel
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On):
4.5 فولت ، 10 فولت
الحزمة:
الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®
Drain to Source Voltage (Vdss):
40 V
Vgs (ماكس):
± 20 فولت
Product Status:
Active
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds:
420 بيكو فاراد عند 20 فولت
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SQ2389
مقدمة
قناة P 40 V 4.1A (Tc) 3W (Tc) سطح الصعود SOT-23-3 (TO-236)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: