المرشحات
المرشحات
أشباه الموصلات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
M29W800DB70N6E |
فلاش IC 8M متوازي 48TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
إيسي إيبروم 512K الموازي 28DIP
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25X40VSSIG |
إيك فلاش 4 متر SPI 75 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25X32VSSIG |
إيك فلاش 32 متر SPI 75 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT25QU128ABB8ESF-0AUT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M28W320FCB70N6E |
فلاش IC 32M موازي 48TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC128GAPALNA-AAT |
EMMC 1024G MMC5.1 J59X AAT
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QU128ABA8E12-0SIT |
إيك فلاش 128 متر SPI 133 ميجا هرتز 24 تيرابايتجا
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA1EW7-0SIT |
إيك فلاش 256 متر SPI 133 ميجا هرتز 8WPDFN
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0AAT |
إيك فلاش 256 متر SPI 133 ميجا هرتز 16SOP2
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABADAWP: د |
اي سي فلاش 4G بالتوازي 48TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08CBADBWPR: |
اي سي فلاش 32 جيجا متوازي 48TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT |
إيك فلاش 1G SPI 166 ميجا هرتز 16SOP2
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W25X20VSNIG |
إيك فلاش 2 متر SPI 75 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
PC28F128J3D75A |
فلاش IC 128M متوازي 64EASYBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36SJ-25E:B |
IC DRAM 576M بالتوازي 144FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M29W128GH70N6E |
فلاش IC 128M موازي 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W25X16VSSIG |
إيك فلاش 16 متر SPI 75 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25Q80JVSNIQ |
إيك فلاش 8 متر SPI 133 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13ESC40F |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
RC28F128J3C150 |
فلاش IC 128M متوازي 64EASYBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M28W160CT70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
S29GL256N11TFI010 |
ذاكرة فلاش لوضع الصفحة 3.0 فولت فقط تتميز بتقنية معالجة MirrorBit™ مقاس 110 نانومتر
|
التوسع / الصنوبر
|
|
|
|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
ذاكرة فلاش NAND سعة 512 ميجا × 8 بت / 1 جيجا × 8 بت
|
أشباه الموصلات سامسونج
|
|
|
|
|
|
W25X16AVSSIG |
إيك فلاش 16 متر SPI 75 ميجا هرتز 8 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
W25X64VSFIG |
إيك فلاش 64 متر SPI 75 ميجا هرتز 16 سويش
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
ذاكرة الوصول العشوائي SDRAM سعة 64 ميجابايت
|
أشباه الموصلات سامسونج
|
|
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
ذاكرة فلاش ناند 256 ميجا × 8 بت
|
أشباه الموصلات سامسونج
|
|
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
ذاكرة فلاش ناند 1 جيجا × 8 بت / 2 جيجا × 8 بت
|
أشباه الموصلات سامسونج
|
|
|
|
|
|
S29JL032H70TFI010 |
ذاكرة فلاش 32M بت CMOS 3.0V
|
التوسع / الصنوبر
|
|
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
ذاكرة Ic
|
أشباه الموصلات سامسونج
|
|
|
|
|
|
PC28F256M29EWLA |
IC FLASH 256M PARALLEL 64FBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW01GABA1HPC-0SIT |
فلاش IC 1G متوازي 64LBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP (أجهزة التحكم في المعلومات)
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M29W400DB55N6E |
فلاش اي سي 4 متر متوازي 48 تسوب
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QU256ABA1EW9-0SIT |
إيك فلاش 256 متر SPI 133 ميجا هرتز 8WPDFN
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0AUT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
EDB4432BBBJ-1DAAT-FD |
IC DRAM 4G متوازي 533 ميجا هرتز
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MTFC8GACAENS-AAT |
اي سي فلاش 64 جيجا ام ام سي
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
M29W256GL70N6E |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT40A512M16LY-075: إي |
IC DRAM 8G PARALLEL 1.33 GHz
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT25QL02GCBB8E12-0AAT |
IC FLASH 2G SPI 133MHZ 24TPBGA
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D |
فلاش IC 32 جيجا متوازي 166 ميجا هرتز
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
JS28F256J3F105A |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|
|
|
|
W9425G6EH-5 |
IC DRAM 256M بالتوازي 66TSOP II
|
وينبوند للإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
MT40A1G8SA-062E:E |
اي سي درام 8 جيجا متوازي 1.6 جيجا هرتز
|
تكنولوجيا الميكرون
|
|
|