EDB4432BBBJ-1DAAT-FD
الصانع:
تكنولوجيا الميكرون
الوصف:
IC DRAM 4G متوازي 533 ميجا هرتز
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
التكنولوجيا:
SDRAM - LPDDR2 المحمول
فئة المنتج:
ذاكرة المرحلية
نوع الذاكرة:
متقلب
مخزون المصنع:
0
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
-
وقت الوصول:
-
تنسيق الذاكرة:
درهم
حالة الجزء:
نشط
حجم الذاكرة:
4 جيجا بايت (128 ميجا × 32)
التعبئة:
-
@ الكمية:
0
درجة حرارة العمل:
-40 درجة مئوية ~ 105 درجة مئوية (ح)
الحد الأدنى من الكمية:
2100
واجهة الذاكرة:
موازي
الحزمة / الحقيبة:
-
نوع التثبيت:
-
تردد الساعة:
533 ميجا هرتز
الجهد - الإمدادات:
1.14 فولت ~ 1.95 فولت
السلسلة:
-
المصنع:
تقنية ميكرون
مقدمة
الـ (إدبي 4432 بي بي بي جي-1 داتا- إف دي) من شركة (مايكرون) للتكنولوجيا هي أقراص ذاكرة ذات سعر تنافسي في السوق العالمية وهي في أجزاء أصلية وجديدةإذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
MT40A512M8RH-083E: ب
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
M29W160EB70N6E
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
M29W320EB70N6E
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
MT25QL128ABA1EW7-0SIT
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
MT48LC4M32B2TG-7:G
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
M25P64-VMF6P
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
JS28F640J3D75A
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
JS28F128J3D75A
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
M25P16-VMN6TP
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
MT40A512M8RH-083E: ب |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
|
|
|
|
M29W160EB70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
|
|
|
M29W320EB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
|
|
|
MT48LC4M32B2TG-7:G |
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
|
|
|
|
JS28F640J3D75A |
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
|
|
|
|
JS28F128J3D75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
|
|
|
|
M25P16-VMN6TP |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: