W27C512-45Z
المواصفات
التكنولوجيا:
إيبروم
فئة المنتج:
ذاكرة المرحلية
نوع الذاكرة:
غير متطاير
مخزون المصنع:
0
اكتب Cycle Time - Word ، Page:
-
حزمة أجهزة المورد:
28-PDIP
وقت الوصول:
45ns
تنسيق الذاكرة:
إيبروم
حالة الجزء:
قديمة
حجم الذاكرة:
512 كيلو بايت (64 كيلو × 8)
التعبئة:
أنبوب
@ الكمية:
0
درجة حرارة العمل:
0°C ~ 70°C (TA)
الحد الأدنى من الكمية:
15
واجهة الذاكرة:
موازي
الحزمة / الحقيبة:
28-DIP (0.600 بوصة ، 15.24 ملم)
نوع التثبيت:
من خلال الثقب
تردد الساعة:
-
الجهد - الإمدادات:
4.75 فولت ~ 5.25 فولت
السلسلة:
-
المصنع:
وينبوند للإلكترونيات
مقدمة
الـ W27C512-45Z،من شركة وينبوند الإلكترونية، هي ذاكرة IC. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products

W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC

W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

W25X40CLS
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC

W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC

W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
![]() |
W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
|
|
![]() |
W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
|
|
![]() |
W25X40CLS |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
![]() |
W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
|
|
![]() |
W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
|
![]() |
W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
![]() |
W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
|
|
![]() |
W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
|
|
![]() |
W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: