K9F4G08U0B-PCB0
الصانع:
أشباه الموصلات سامسونج
الوصف:
ذاكرة فلاش NAND سعة 512 ميجا × 8 بت / 1 جيجا × 8 بت
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
فئة المنتج:
ذاكرة المرحلية
التعبئة:
الصندوق
الحزمة:
TSSOP
بنفايات:
متوفر باللون الأخضر
كمية حزمة المصنع:
100
المصنع:
سامسونج أشباه الموصلات
مقدمة
K9F4G08U0B-PCB0،من سامسونج سيمكندكتور، هي ذاكرة ICs.ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
K4S641632K-UC60
64Mb K-die SDRAM
K9F2G08U0D-SCB0
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
KLUEG8U1EM-B0B1
Memory IC
K4B2G1646F-BCK0
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K9F1G08U0E-SCB0
1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
K4B4G1646D-BCMA
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
|
|
|
|
K9F2G08U0D-SCB0 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
KLUEG8U1EM-B0B1 |
Memory IC
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1Gb E-die NAND Flash
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
K4B4G1646D-BCMA |
4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: