المرشحات
المرشحات
أشباه الموصلات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MK22FN1M0VLQ12 |
وحدات التحكم الدقيقة ARM - MCU K20 1 ميجا بايت 120 ميجا هرتز
|
فريسكال / NXP
|
|
|
|
|
|
MK64FX512VMD12 |
متحكمات ARM - MCU K60-1M
|
فريسكال / NXP
|
|
|
|
|
|
EFM32LG280F256G-E-QFP100 |
وحدات التحكم الدقيقة ARM - MCU 256k Flash و32k RAM AES
|
مختبرات السيليكون
|
|
|
|
|
|
MK21FN1M0VLQ12 |
وحدات التحكم الدقيقة ARM - MCU K20 1 ميجا بايت 120 ميجا هرتز
|
فريسكال / NXP
|
|
|
|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
موسفيت 23 أمبير 800 فولت 0.40 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFN80N50Q2 |
موسفيت 80 أمبير 500 فولت 0.06 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFX32N50 |
موسفيت 32 أمبير 500 فولت 0.16 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFH13N80 |
موسفيت 800 فولت 13 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
AGL1000V5-FG484I |
FPGA - مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميدانية IGLOO
|
ميكرو سيمي
|
|
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
موسفيت موسفيت بفدس: 41 فولت-60 فولت
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
LFE3-70E-7FN1156I |
FPGA - مصفوفة البوابة الميدانية القابلة للبرمجة 66.5K LUTs، 490 I/O 7 سرعات
|
الشبكة
|
|
|
|
|
|
IXTQ96N15P |
موسفيت 96 أمبير 150 فولت 0.024 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SQ1440EH-T1_GE3 |
MOSFET 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 مؤهل
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXFH170N10P |
موسفيت 170 أمبير 100 فولت 0.009 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFK180N10 |
موسفيت 100 فولت 180 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
جهاز تبديل MOSFET
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SPA17N80C3 |
موسفيت N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
موسفيت نفيت 100 فولت 170 مللي أمبير 6 أوه
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SI2312CDS-T1-GE3 |
موسفيت 20 فولت 6 أمبير N-CH موسفيت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI7938DP-T1-GE3 |
موسفيت 40 فولت 60 أمبير 46 واط 5.8 مللي أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI7252DP-T1-GE3 |
MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPT007N06N |
دوائر MOSFET المتمايزة
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BSC028N06NS |
موسفيت N-Ch 60 فولت 100 أمبير TDSON-8 أوبتيموس 3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDT434P |
موسفيت سوت-223 P-CH -20V
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRF7343TRPBF |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
|
آي آر / إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
LCMXO2-7000ZE-1BG256I |
FPGA - مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميدانية 6864 LUTs 207 I/O 1.2V 1 SPEED
|
الشبكة
|
|
|
|
|
|
SI1539CDL-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 0.7 أمبير 0.34 واط
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
موسفيت 60 فولت 200 ميجاوات
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
LFE3-35EA-7FN484C |
FPGA - صفيف البوابة الميدانية القابلة للبرمجة 33.3K LUTs 295 I / O 1.2V -7 Speed
|
الشبكة
|
|
|
|
|
|
IXFH46N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTP60N10T |
موسفيت موسفيت Id60 BVdass100
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTP60N20T |
دوائر MOSFET الخندقية، 200 فولت، 60 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPW60R070P6 |
MOSFET سعر/أداء عالي الطاقة
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI3932DV-T1-GE3 |
MOSFET 30V 3.7A DUAL N-CH MOSFET
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDA20N50F |
موسفيت 500 فولت قناة N
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
BSC040N10NS5 |
موسفيت N-Ch 100 فولت 100 أمبير TDSON-8
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FQA46N15 |
MOSFET 150V N-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDP51N25 |
MOSFET 250V N-قناة MOSFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FQP27N25 |
MOSFET 250V N-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDMS86104 |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFB5615PBF |
MOSFET الصوت MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FQPF6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET سلسلة C المتقدمة
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
LCMXO3LF-2100C-5BG324C |
FPGA - صفيف البوابة الميدانية القابلة للبرمجة 2112 طرفية طرفية
|
الشبكة
|
|
|
|
|
|
LCMXO2-7000HC-4FTG256C |
FPGA - مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميدانية 6864 LUTs 207 I/O 3.3V 4 SPEED
|
الشبكة
|
|
|
|
|
|
FQP2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FQP3P20 |
MOSFET 200V P-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDC2512 |
MOSFET 150V NCh PowerTrench
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI2303CDS-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 2.7 أمبير 2.3 وات 190 ميجا أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|