أرسل رسالة

SI7135DP-T1-GE3

الصانع:
(فيشاي سليكونيكس)
الوصف:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، FETs المفردة، MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs (th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / الحقيبة:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
250 nC @ 10 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
3.9 مللي أوم عند 20 أمبير، 10 فولت
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8650 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
60A (Tc)
Power Dissipation (Max):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI7135
مقدمة
قناة P 30 فولت 60A (Tc) 6.25W (Ta) ، 104W (Tc) سطح الصعود PowerPAK® SO-8
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: