أرسل رسالة

SI2392ADS-T1-GE3

الصانع:
(فيشاي سليكونيكس)
الوصف:
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
ميزة FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
10.4 نانو سي @ 10 فولت
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
126mOhm @ 2A, 10V
نوع FET:
قناة N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
196 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2392
مقدمة
القناة الشمالية 100 فولت 3.1A (Tc) 1.25W (Ta) ، 2.5W (Tc) سطح الصعود SOT-23-3 (TO-236)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: