أرسل رسالة

SI4058DY-T1-GE3

الصانع:
(فيشاي سليكونيكس)
الوصف:
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
26mOhm @ 10A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
690 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-SOIC
مفر:
(فيشاي سليكونيكس)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
10.3A (Tc)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
5.6 واط (ح)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
رقم المنتج الأساسي:
سي4058
مقدمة
القناة الشمالية 100 فولت 10.3A (Tc) 5.6W (Tc) سطح الصعود 8-SOIC
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: