أرسل رسالة

SI2302DDS-T1-GE3

الصانع:
(فيشاي سليكونيكس)
الوصف:
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
5.5 nC @ 4.5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id:
850mV @ 250µA
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
مفر:
(فيشاي سليكونيكس)
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع FET:
قناة N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 4.5V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
710 ميجاوات (تا)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
20 فولت
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.9A (Tj)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2302
مقدمة
القناة الشمالية 20 فولت 2.9A (Tj) 710mW (Ta) سطح الجبل SOT-23-3 (TO-236)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: