أرسل رسالة

SIS407DN-T1-GE3

الصانع:
(فيشاي سليكونيكس)
الوصف:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
93.8 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On):
1.8 فولت ، 4.5 فولت
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
20 فولت
Vgs (Max):
±8V
حالة المنتج:
نشط
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2760 pF @ 10 V
نوع التثبيت:
جبل السطح
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
25A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIS407
مقدمة
قناة P 20 فولت 25A (Tc) 3.6W (Ta) ، 33W (Tc) سطح الصعود PowerPAK® 1212-8
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: