أرسل رسالة

SI7655ADN-T1-GE3

الصانع:
(فيشاي سليكونيكس)
الوصف:
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.1V @ 250µA
Operating Temperature:
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
225 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.6mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6600 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
PowerPAK® 1212-8S
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
40A (Tc)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
4.8 واط (تا)، 57 واط (ح)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
رقم المنتج الأساسي:
سي7655
مقدمة
قناة P 20 فولت 40A (Tc) 4.8W (Ta) ، 57W (Tc) سطح القيادة PowerPAK® 1212-8S
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: