المرشحات
المرشحات
الترانزستورات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS7430TRLPBF |
موسفيت N-CH 40V 409A D2PAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
STD25NF20 |
موسفيت N-CH 200 فولت 18 أمبير DPAK
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IRFR15N20DTRPBF |
موسفيت N-CH 200 فولت 17 أمبير DPAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPB031N08N5ATMA1 |
موسفيت N-CH 80 فولت TO263-3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BSS131H6327XTSA1 |
موسفيت N-CH 240 فولت 0.11 أمبير سوت23
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRFR4620TRLPBF |
MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IRFH7085TRPBF |
موسفيت N-CH 60 فولت 23 أمبير 6-PQFN
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
STD2NK90ZT4 |
موسفيت N-CH 900V 2.1A DPAK
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
IRFS7530TRL7PP |
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AUIRLR120NTRL |
موسفيت N-CH 100V 10A DPAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BSC0702LS |
موسفيت N-CH 8TDSON
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
AUIRFR6215TRL |
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI7390DP-T1-E3 |
موسفيت 30 فولت 15 أمبير 1.8 وات
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDMA530PZ |
MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPB35N10S3L-26 |
موسفيت N-Ch 100 فولت 35 أمبير D2PAK-2 أوبتيموس-T
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BSZ034N04LS |
دوائر MOSFET المتمايزة
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPD90P04P4L-04 |
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FQPF13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET سلسلة C المتقدمة
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FQA38N30 |
MOSFET 300V N-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FQPF12N60C |
MOSFET 600V N-Ch Q-FET سلسلة C المتقدمة
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SPA11N80C3 |
موسفيت N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDB2532 |
خندق MOSFET 150V N-Channel QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SPP17N80C3 |
موسفيت N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IXFK40N90P |
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
DMP2047UCB4-7 |
MOSFET P-Ch ENH وضع FET -20V -6
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IXFN160N30T |
موسفيت خندق هيبرفيت PWR موسفيت 300 فولت 130 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFP16N50P |
موسفيت 500 فولت 16 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTQ69N30P |
موسفيت 69 أمبير 300 فولت 0.049 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
PMZ320UPEYL |
MOSFET 30V P-Channel خندق MOSFET
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
IPB100N04S4-H2 |
موسفيت N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IXFK64N50P |
موسفيت 500 فولت 64 أمبير
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPP80N08S2L-07 |
MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 أوبتيموس
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPD85P04P4-07 |
MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI9407BDY-T1-E3 |
موسفيت 60 فولت 4.7 أمبير 5.0 وات 120 مللي أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMG4435SSS-13 |
موسفيت موسفيت، قناة P
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IPLU300N04S4-R8 |
موسفيت N-قناة 30/40 فولت
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FQB8P10TM |
MOSFET 100V P-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDG6301N |
موسفيت SC70-6 N-CH 25 فولت
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMG1013UW-7 |
MOSFET P-Ch -20V VDSS Mosfet المحسن
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IPP60R125CP |
موسفيت N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW65R110CFDA |
موسفيت N-Ch 650 فولت 31.2 أمبير TO247-3
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDD7N60NZTM |
موسفيت N-قناة 600 فولت 5.5 أمبير
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDS6676AS |
MOSFET 30V NCH POWER TRENCH MOSFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDS6982AS |
موسفيت SO-8 N-CH 1&2 30V
|
واحد
|
|
|
|
|
|
HUF76609D3ST |
MOSFET 10a 100V 0.165 أوم 1Ch HS بوابة المنطق
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
RFD14N05LSM |
MOSFET TO-252AA N-Ch الطاقة
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SIA931DJ-T1-GE3 |
MOSFET -30 فولت، 65 مللي أوم@-10 فولت -4.5 أمبير، P-CH
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SIS892DN-T1-GE3 |
موسفيت 100 فولت 30 أمبير 43 وات 29 موهم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXTK210P10T |
MOSFET TrenchP Power MOSFETs
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPG20N06S4L-26 |
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|