FQPF12N60C
الصانع:
واحد
الوصف:
MOSFET 600V N-Ch Q-FET سلسلة C المتقدمة
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N
التكنولوجيا:
سي
المعرف - تيار التصريف المستمر:
12 أ
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:
- 55 ج
الحزمة / الحقيبة:
TO-220-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
وضع القناة:
التعزيز
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
600 فولت
التعبئة:
أنبوب
فئة المنتج:
موسفيت
عدد القنوات:
1 قناة
Vgs - جهد مصدر البوابة:
30 فولت
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
650 مللي أوم
المصنع:
نصف
مقدمة
FQPF12N60C،من onsemi،هو MOSFET. ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية،والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: