المرشحات
المرشحات
الترانزستورات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBF170-7-F |
موسفيت 60 فولت 225 ميجاوات
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
بمكسب360إنيز |
MOSFET 80 فولت، N-channel Trench MOSFET
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 مؤهل
|
سليكونيكس / فيشاي
|
|
|
|
|
|
سي3552DV-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 2.5/1.8 أمبير 1.15 وات 105/200 مللي أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FQPF47P06YDTU |
MOSFET -60V -30A قناة P
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFR320TRPBF |
موسفيت ان تشان 400 فولت 3.1 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
PMV55ENEAR |
موسفيت PMV55ENEA/TO-236AB/ريل 7 بوصة Q3/
|
نيكسبيريا
|
|
|
|
|
|
SI3421DV-T1-GE3 |
MOSFET 20 فولت، -20 فولت .0192 أوم @ -10 فولت -8 أمبير P-Ch
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRFB4310ZPBF |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IXTA26P20P |
موسفيت -26.0 أمبير -200 فولت 0.170 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
FQD12N20TM |
MOSFET 200V N-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDMS8888 |
MOSFET N-Channel PwrTrench 30V 21A 9.5mOhm
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
MOSFET SO8 COMP NP-CH T/R
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FQP13N10 |
موسفيت N-CH/100 فولت/12.8 أمبير 0.18 أوم
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDS6690AS |
MOSFET 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDD6630A |
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI7846DP-T1-E3 |
موسفيت 150 فولت 6.7 أمبير 5.2 واط
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
BSC098N10NS5 |
ترانزستور موسفيت Pwr 100 فولت أوبتيموس 5
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPB60R380C6 |
موسفيت N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDS6679 |
موسفيت SO-8
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI7232DN-T1-GE3 |
موسفيت 20 فولت 25 أمبير 23 واط 16.4 مللي أوم @ 4.5 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
BSC011N03LS |
موسفيت N-Ch 30 فولت 100 أمبير TDSON-8 أوبتيموس
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SQ3427AEEV-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 مؤهل
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDC6318P |
موسفيت 2P-CH 12 فولت 2.5 أمبير SSOT-6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMP4025LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IRF9358TRPBF |
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
NDS9945 |
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMA3023PZ |
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A ميكروفيت 6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMA6023PZT |
MOSFET 2P-CH 20 فولت 3.6 أمبير 6 ميكروفيت
|
واحد
|
|
|
|
|
|
IRF7319TRPBF |
MOSFET N / P-CH 30V 8SOIC
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
DMP3056LSD-13 |
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMS3620S |
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A / 38A 8PQFN
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDS6975 |
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMN65D8LDW-7 |
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMC2038LVT-7 |
موسفيت N / P-CH 20 فولت TSOT26.5
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDC6333C |
موسفيت N/P-CH 30 فولت 2.5 أمبير/2 أمبير SSOT6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
BSL215CH6327XTSA1 |
موسفيت N/P-CH 20 فولت 1.5 أمبير TSOP-6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FDC6506P |
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDS9958 |
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SO
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SI4542DY |
موسفيت N/P-CH 30V 6A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
STN1NK60Z |
موسفيت N-CH 600 فولت 300 مللي أمبير SOT223
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
STW13NK100Z |
موسفيت N-CH 1KV 13A TO-247
|
STMيكروإلكترونيات
|
|
|
|
|
|
FDV301N |
موسفيت N-CH 25V 220MA SOT-23
|
واحد
|
|
|
|
|
|
NTS4001NT1G |
موسفيت N-CH 30V 270MA SOT-323
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMN6140L-7 |
موسفيت N-CH 60 فولت 1.6 أمبير سوت-23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMP3099L-7 |
موسفيت P-CH 30 فولت SOT23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMG3402L-7 |
موسفيت N-CH 30V 4A SOT23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMG3415U-7 |
موسفيت P-CH 20V 4A SOT-23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
NDS331N |
موسفيت N-CH 20 فولت 1.3 أمبير SSOT3
|
واحد
|
|
|