المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N
التكنولوجيا:
سي
فئة المنتج:
موسفيت
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
اسم تجاري:
هايبرفيت
الحزمة / الحقيبة:
TO-247-3
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
600 فولت
التعبئة:
أنبوب
المعرف - تيار التصريف المستمر:
42 أ
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
104 أوم
عدد القنوات:
1 قناة
Vgs - جهد مصدر البوابة:
30 فولت
Qg - رسوم البوابة:
190 ن.س
المصنع:
إكسيس
مقدمة
جهاز IXFR64N60Q3 من شركة IXYS، هو جهاز MOSFET. ما نقدمه لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة

IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds

IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds

IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V

IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class

IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A

IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2

IXTT110N10L2
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET

IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V

إكس إف إن 520 إن 075 تي2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
![]() |
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
![]() |
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
![]() |
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
![]() |
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
![]() |
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
![]() |
IXTT110N10L2 |
MOSFET Linear Extended FBSOA Power MOSFET
|
|
![]() |
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
![]() |
إكس إف إن 520 إن 075 تي2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
![]() |
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: