IXTT110N10L2
الصانع:
IXYS
الوصف:
MOSFET خطي ممتد FBSOA قوة MOSFET
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N
التكنولوجيا:
سي
المعرف - تيار التصريف المستمر:
110 أ
أسلوب التركيب:
SMD / SMT
الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:
- 55 ج
الحزمة / الحقيبة:
TO-268-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
وضع القناة:
التعزيز
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
100 فولت
التعبئة:
أنبوب
Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة:
2.5 فولت
فئة المنتج:
موسفيت
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
18 مللي أوم
عدد القنوات:
1 قناة
Qg - رسوم البوابة:
260 ن سي
المصنع:
إكسيس
مقدمة
إن جهاز IXTT110N10L2 من شركة IXYS، هو جهاز MOSFET. ما نقدمه لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
IXFR64N60Q3
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
IXTT20N50D
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
IXFK200N10P
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXTQ50N25T
MOSFET 50Amps 250V
IXFP34N65X2
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
IXFH36N60P
MOSFET 600V 36A
IXFK100N65X2
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
IXFK44N80P
MOSFET 44 Amps 800V
إكس إف إن 520 إن 075 تي2
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFH23N80Q
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFR64N60Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
|
|
|
|
IXTT20N50D |
MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds
|
|
|
|
IXFK200N10P |
MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
|
|
IXTQ50N25T |
MOSFET 50Amps 250V
|
|
|
|
IXFP34N65X2 |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
|
|
|
|
IXFH36N60P |
MOSFET 600V 36A
|
|
|
|
IXFK100N65X2 |
MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
|
|
|
|
IXFK44N80P |
MOSFET 44 Amps 800V
|
|
|
|
إكس إف إن 520 إن 075 تي2 |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
|
|
|
|
IXFH23N80Q |
MOSFET 23 Amps 800V 0.40 Rds
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: