المرشحات
المرشحات
الترانزستورات
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SPW47N60CFD |
MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI7625DN-T1-GE3 |
MOSFET -30V 7mOhm@10V 35A P-Ch G-III
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FCP11N60 |
موسفيت 600 فولت 11 أمبير N-CH
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
توشيبا
|
|
|
|
|
|
IXTQ64N25P |
موسفيت 64 أمبير 250 فولت 0.049 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPA50R280CE |
موسفيت N-Ch 500V 13A TO220FP-3 CoolMOS CE
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW60R045CP |
موسفيت N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 |
MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 مؤهل
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPD50P04P4L-11 |
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPB120N04S4-02 |
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IXFN170N30P |
موسفيت 138 أمبير 300 فولت 0.018 طريق
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXTQ52N30P |
موسفيت 52 أمبير 300 فولت 0.066 أوم رودس
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IPD90N04S4-04 |
MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
BSS123WQ-7-F |
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SI7540ADP-T1-GE3 |
MOSFET N & P-Chnl 20-V DS
|
سليكونيكس / فيشاي
|
|
|
|
|
|
FQPF15P12 |
MOSFET 120V P-قناة QFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF |
موسفيت بي تشان 200 فولت 6.5 أمبير
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPD50N08S4-13 |
موسفيت N-قناة 75/80 فولت
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW65R065C7 |
MOSFET HIGH POWER_NEW
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
FCD4N60TM |
موسفيت N-CH/600V/7A/ SuperFET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDC2612 |
MOSFET 200V NCh PowerTrench
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMP6023LE-13 |
MOSFET P-Ch 60V وضع Enh 145W 20Vgs 2569pF
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SI2333CDS-T1-GE3 |
موسفيت 12 فولت 5.1 أمبير 2.5 وات 35 موهم @ 4.5 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDC642P |
موسفيت SSOT-6 P-CH -20V
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SIZF906DT-T1-GE3 |
موسفيت N Ch 30Vds 20Vgs
|
سليكونيكس / فيشاي
|
|
|
|
|
|
SI7170DP-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 40 أمبير 48 وات 3.4 مللي أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IXFR140N30P |
موسفيت 82 أمبير 300 فولت 0.026 أوم رودس
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SI7228DN-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 26 أمبير 23 واط 20 مللي أوم @ 10 فولت
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
SI7942DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 100V 49mohm @ 10V
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPB65R110CFDA |
موسفيت N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPD50P04P4-13 |
MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SIS413DN-T1-GE3 |
MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW60R070C6 |
موسفيت N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPW65R041CFD |
MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI4190ADY-T1-GE3 |
MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
FDD8444 |
موسفيت الجهد المنخفض
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPD90P04P4-05 |
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SI4909DY-T1-GE3 |
MOSFET 40V 8A ثنائي PCH
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPD30N10S3L-34 |
MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
SIS412DN-T1-GE3 |
موسفيت 30 فولت 12 أمبير 15.6 وات
|
فيشاي أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
NDS352AP |
وضع التحسين MOSFET P-Ch LL FET
|
فيرتشايلد أشباه الموصلات
|
|
|
|
|
|
IPB120P04P4L-03 |
MOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IPD50N10S3L-16 |
MOSFET N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
DMN2400UV-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMN2004DWK-7 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDS4559 |
MOSFET N / P-CH 60V 4.5A / 3.5A 8-SO
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDPC8011S |
MOSFET 2N-CH 25V 13A / 27A 8PQFN
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMN32D2LV-7 |
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
FDS6930B |
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
|
واحد
|
|
|