TPH4R50ANH
الصانع:
توشيبا
الوصف:
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N
التكنولوجيا:
سي
فئة المنتج:
موسفيت
أسلوب التركيب:
SMD / SMT
اسم تجاري:
يوموس الثامن
الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:
- 55 ج
الحزمة / الحقيبة:
SOP-Advance-8
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
100 فولت
التعبئة:
بكرة
Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة:
2 فولت إلى 4 فولت
المعرف - تيار التصريف المستمر:
93 أ
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
3.7 مللي أوم
عدد القنوات:
1 قناة
Vgs - جهد مصدر البوابة:
20 فولت
Qg - رسوم البوابة:
58 ن.س
المصنع:
توشيبا
مقدمة
TPH4R50ANH،من شركة توشيبا، هو MOSFET. ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
TK20A60U
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
SSM3J328R
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
TK4P60DB
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors
TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
TPH1400ANH، L1Q
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
2SK3878
Switching Regulator Applications
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
|
|
|
TK4P60DB |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm
|
|
|
|
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
|
|
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
|
|
TPH1400ANH، L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
|
|
|
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
|
|
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: