المرشحات
المرشحات
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
| صورة | جزء # | الوصف | الصانع | الأسهم | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP4015SSS-13 |
MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SI4403CDY-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDS6690A |
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDMS7698 |
MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
|
واحد
|
|
|
|
|
|
DMP45H4D9HK3-13 |
MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SI2323CDS-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
ZXMP6A17E6QTA |
MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
BUK7M67-60EX |
MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
DMN2009LSS-13 |
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
ZXM62P03E6TA |
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FDC658P |
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SIA445EDJ-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI2333CDS-T1-E3 |
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
FQD13N06TM |
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
|
واحد
|
|
|
|
|
|
PMV35EPER |
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
FDMC8878 |
موسفيت N-CH 30 فولت 9.6 أمبير/16.5 أمبير 8MLP
|
واحد
|
|
|
|
|
|
FDN5618P |
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
|
واحد
|
|
|
|
|
|
SI2308BDS-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
DMP2021UFDE-7 |
MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMP3050LVT-7 |
موسفيت P CH 30 فولت 4.5 أمبير TSOT26
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
SI2302DDS-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
PMCM4401VPEZ |
MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
PMV240SPR |
MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
BUK6D23-40EX |
موسفيت N-CH 40V 8A/19A 6DFN
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
PMZ130UNEYL |
MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
DMPH6250SQ-7 |
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
RV2C010UNT2L |
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMN2058U-7 |
MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
PMV60ENEAR |
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
BSS138K-7 |
MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 3K
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
2N7002Q-7-F |
MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
NX7002AKVL |
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
2N7002K-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
IXTT96N15P |
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
DMN5L06K-7 |
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
IPT015N10N5ATMA1 |
موسفيت N-CH 100V 300A 8HSOF
|
تقنيات إنفينيون
|
|
|
|
|
|
IXTA1N100 |
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IXFR44N50P |
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
SI4840BDY-T1-E3 |
MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
SI2325DS-T1-E3 |
موسفيت P-CH 150 فولت 530 مللي أمبير SOT23-3
|
(فيشاي سليكونيكس)
|
|
|
|
|
|
2SJ650 |
MOSFET P-CH 60V 12A TO220ML
|
واحد
|
|
|
|
|
|
RSQ035P03TR |
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
|
سيمي الموصلات
|
|
|
|
|
|
DMP6110SSDQ-13 |
MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
ZXMP10A13FTA |
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMN3030LSS-13 |
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMP2077UCA3-7 |
MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
DMP2160UW-7 |
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
|
الديودات المدمجة
|
|
|
|
|
|
BSS138P،215 |
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
|
شركة نيكبيريا الولايات المتحدة الأمريكية
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
|
واحد
|
|
|