أرسل رسالة

IXFH6N100

الصانع:
IXYS
الوصف:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
ميزة FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 2.5mA
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
130 nC @ 10 فولت
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2Ohm @ 500mA, 10V
نوع FET:
قناة N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2600 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
HiPerFET™
Supplier Device Package:
TO-247AD (IXFH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
180W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFH6
مقدمة
القناة الشمالية 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) من خلال الثقب إلى-247AD (IXFH)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: