أرسل رسالة

IXFN32N100Q3

الصانع:
IXYS
الوصف:
موسفيت N-CH 1000 فولت 28 أمبير SOT227B
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
195 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
320mOhm @ 16A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9940 pF @ 25 V
Mounting Type:
Chassis Mount
Series:
HiPerFET™, Q3 Class
حزمة أجهزة المورد:
سوت-227ب
Mfr:
IXYS
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
28A (Tc)
Power Dissipation (Max):
780W (Tc)
التكنولوجيا:
MOSFET (أكسيد المعادن)
Base Product Number:
IXFN32
مقدمة
القناة الشمالية 1000 فولت 28A (Tc) 780W (Tc) صعود الهيكل SOT-227B
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: