أرسل رسالة

RS1L120GNTB

الصانع:
سيمي الموصلات
الوصف:
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs (th) (Max) @ Id:
2.7 فولت عند 200 ميكرو أمبير
Operating Temperature:
150°C (TJ)
الحزمة / الحقيبة:
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 10 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
12.7 مللي أوم عند 12 أمبير، 10 فولت
FET Type:
N-Channel
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On):
4.5 فولت ، 10 فولت
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1330 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-HSOP
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Ta), 36A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RS1L
مقدمة
قناة N 60 V 12A (Ta) ، 36A (Tc) 3W (Ta) سطح الصعود 8-HSOP
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: