R6076ENZ4C13
الصانع:
سيمي الموصلات
الوصف:
موسفيت N-CH 600 فولت 76 أمبير TO247
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
260 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
42mOhm @ 44.4A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247
Mfr:
Rohm Semiconductor
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
76A (Tc)
Power Dissipation (Max):
735W (Tc)
التكنولوجيا:
MOSFET (أكسيد المعادن)
Base Product Number:
R6076
مقدمة
القناة النائية 600 V 76A (Tc) 735W (Tc) من خلال الثقب TO-247
منتجات ذات صلة
RSD050N10TL
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
RRR040P03TL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
RS1L120GNTB
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
RSR025N05TL
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
|
|
|
|
RRR040P03TL |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
|
|
|
|
RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
|
|
|
|
RS1L120GNTB |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
|
|
|
|
RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
|
|
|
|
RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
|
|
|
|
RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
|
|
|
|
RSR025N05TL |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
|
|
|
|
RD3P050SNTL1 |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
|
|
|
|
RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: