التاسع10P60
الصانع:
IXYS
الوصف:
MOSFET P-CH 600V 10A TO247
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
160 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1Ohm @ 5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±20V
حالة المنتج:
نشط
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4700 pF @ 25 V
نوع التثبيت:
من خلال الثقب
Series:
-
حزمة أجهزة المورد:
TO-247 (التاسع)
Mfr:
IXYS
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
10A (Tc)
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH10
مقدمة
قناة P 600 V 10A (Tc) 300W (Tc) من خلال الثقب TO-247 (IXTH)
Related Products
IXFK120N20
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
IXFK27N80
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
IXFH20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
IXFH15N80
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
IXFH26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
التاسعFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
IXFH13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
IXFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
|
|
|
|
IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
|
|
|
|
IXFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
|
|
|
|
IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
|
|
|
|
IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
|
|
|
|
التاسعFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
|
|
|
|
IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
|
|
|
|
IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
|
|
|
|
IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
|
|
|
|
IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: