أرسل رسالة

IXTK200N10L2

الصانع:
IXYS
الوصف:
MOSFET N-CH 100V 200A TO264
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
ميزة FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 3mA
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
Package / Case:
TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
540 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 100A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
23000 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Linear L2™
Supplier Device Package:
TO-264 (IXTK)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1040W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTK200
مقدمة
القناة الشمالية 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) من خلال الثقب TO-264 (IXTK)
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: