IXFN82N60P
الصانع:
IXYS
الوصف:
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
الفئة:
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
المواصفات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
240 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
75mOhm @ 41A, 10V
FET Type:
N-Channel
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On):
10 فولت
Package:
Tube
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
600 فولت
Vgs (Max):
±30V
حالة المنتج:
نشط
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
23000 pF @ 25 V
نوع التثبيت:
جبل الهيكل
Series:
HiPerFET™, Polar
Supplier Device Package:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
72A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1040W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN82
مقدمة
القناة الشمالية 600 V 72A (Tc) 1040W (Tc) الدفاع على الهيكل SOT-227B
منتجات ذات صلة
IXFK120N20
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
IXFK27N80
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
IXFH20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
IXFH15N80
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
IXFH26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
التاسعFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
IXFH13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
IXFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
|
|
|
|
IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
|
|
|
|
IXFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
|
|
|
|
IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
|
|
|
|
IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
|
|
|
|
التاسعFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
|
|
|
|
IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
|
|
|
|
IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
|
|
|
|
IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
|
|
|
|
IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: