115
الصانع:
نيكسبيريا
الوصف:
MOSFET P-CH -50 فولت -160 مللي أمبير
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة ف
التكنولوجيا:
سي
فئة المنتج:
موسفيت
أسلوب التركيب:
SMD / SMT
الحزمة / الحقيبة:
SOT-363-6
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
- 50 فولت
التعبئة:
بكرة
المعرف - تيار التصريف المستمر:
- 160 مللي أمبير
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
7.5 أوم
عدد القنوات:
1 قناة
Qg - رسوم البوابة:
0.35 نانو سي
المصنع:
نيكسبريا
مقدمة
الـ (بي إس إس 84 أيكس)115،من Nexperia،هو MOSFET.ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية،التي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل،الرجاء الاتصال بنا من خلال الدردشة عبر الإنترنت أو إرسال اقتباس لنا!
Related Products
BSS123،215
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
بي ام جي دي 175 اكس نيكس
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
NX3008NBK،215
MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET
NX7002BKR
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET
بي إس إس 84,215
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
NX7002BKSX
MOSFET 60V, Dual N-channel Trench MOSFET
NX3008NBKS،115
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
NX7002AK
MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET
بي إس إس 138 بي كيه، 215
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
NX1029X،115
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
BSS123،215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
|
|
|
|
بي ام جي دي 175 اكس نيكس |
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
|
|
|
|
NX3008NBK،215 |
MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET
|
|
|
|
NX7002BKR |
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET
|
|
|
|
بي إس إس 84,215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
|
|
|
|
NX7002BKSX |
MOSFET 60V, Dual N-channel Trench MOSFET
|
|
|
|
NX3008NBKS،115 |
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
|
|
|
|
NX7002AK |
MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET
|
|
|
|
بي إس إس 138 بي كيه، 215 |
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
|
|
|
|
NX1029X،115 |
MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: