BSS
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N
التكنولوجيا:
سي
المعرف - تيار التصريف المستمر:
220 مللي أمبير
أسلوب التركيب:
SMD / SMT
الحد الأدنى من درجة حرارة التشغيل:
- 55 ج
الحزمة / الحقيبة:
سوت 23-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
وضع القناة:
التعزيز
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
50 فولت
التعبئة:
بكرة
فئة المنتج:
موسفيت
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
2.5 أوم
عدد القنوات:
1 قناة
Qg - رسوم البوابة:
2.4 نC
المصنع:
فيرتشايلد أشباه الموصلات
مقدمة
BSS138K،من Fairchild Semiconductor، هو MOSFET. ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة

FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench

FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET

FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET

FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench

FDMS86200
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
![]() |
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
![]() |
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
![]() |
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
![]() |
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
![]() |
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
![]() |
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
![]() |
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
![]() |
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
|
![]() |
FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: