FDPF10N60NZ
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N
التكنولوجيا:
سي
فئة المنتج:
موسفيت
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
اسم تجاري:
يونيفيت
الحزمة / الحقيبة:
TO-220FP-3
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
600 فولت
التعبئة:
أنبوب
Vgs - جهد عتبة مصدر البوابة:
5 فولت
المعرف - تيار التصريف المستمر:
10 أ
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
640 مللي أوم
عدد القنوات:
1 قناة
Vgs - جهد مصدر البوابة:
25 فولت
Qg - رسوم البوابة:
23 ن
المصنع:
فيرتشايلد أشباه الموصلات
مقدمة
FDPF10N60NZ،من Fairchild Semiconductor، هو MOSFET. ما نقدم له أسعار تنافسية في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة

FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench

FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

BSS
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET

FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET

FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET

FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench

FDMS86200
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
![]() |
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
![]() |
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
![]() |
BSS |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
![]() |
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
![]() |
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
![]() |
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
![]() |
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
![]() |
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
|
![]() |
FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: