إصدار IPD75N04S4-06
المواصفات
قطبية الترانزستور:
قناة N
التكنولوجيا:
سي
فئة المنتج:
موسفيت
اسم تجاري:
OptiMOS
الحزمة / الحقيبة:
TO-252-3
Vds - جهد تفكيك مصدر الصرف:
40 فولت
التعبئة:
بكرة
المعرف - تيار التصريف المستمر:
75 أ
عدد القنوات:
1 قناة
Rds On - مقاومة مصدر الصرف:
5.9 مالم
المصنع:
تقنيات إنفينيون
مقدمة
IPD75N04S4-06من Infineon Technologies، هو MOSFET. ما نقدمه لديه سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة

IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8

BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS

IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3

IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

BSC0906NS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSC010N04LSI
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
![]() |
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
![]() |
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
![]() |
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
![]() |
IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
![]() |
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
![]() |
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
![]() |
BSC0906NS |
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
|
|
![]() |
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
|
![]() |
BSC010N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: