قوات الدفاع عن الديمقراطية8870
الصانع:
واحد
الوصف:
موسفيت N-CH 30 فولت 160 أمبير D-PAK
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
فئة المنتج:
موسفيت
Vgs (ماكس):
± 20 فولت
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
21 أمبير (تا)، 160 أمبير (ح)
@ الكمية:
0
نوع FET:
قناة N
نوع التثبيت:
جبل السطح
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
118nC @ 10V
المصنع:
نصف
الحد الأدنى من الكمية:
2500
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On):
4.5 فولت ، 10 فولت
مخزون المصنع:
0
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ)
ميزة FET:
-
السلسلة:
PowerTrench®
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds:
5160pF @ 15 فولت
حزمة أجهزة المورد:
TO-252AA
حالة الجزء:
نشط
التعبئة:
شريط وبكرة (TR)
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
3.9 مللي أوم عند 35 أمبير، 10 فولت
تبديد الطاقة (الحد الأقصى):
160 وات (ح)
الحزمة / الحقيبة:
TO-252-3 ، DPak (2 خيوط + علامة تبويب) ، SC-63
التكنولوجيا:
MOSFET (أكسيد المعادن)
Vgs (th) (Max) @ Id:
2.5 فولت @ 250 أوم
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
30 فولت
مقدمة
FDD8870،من onsemi، هو MOSFET. ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية،والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: