FDD3510H
الصانع:
واحد
الوصف:
موسفيت N/P-CH 80 فولت 4.3 أمبير/2.8 أمبير DPAK
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
حزمة أجهزة المورد:
TO-252-4L
فئة المنتج:
موسفيت
مخزون المصنع:
75000
الحد الأدنى من الكمية:
2500
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds:
800pF @ 40V
الحزمة / الحقيبة:
TO-252-5 ، DPak (4 خيوط + علامة تبويب) ، TO-252AD
حالة الجزء:
نشط
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية:
4.3 أ، 2.8 أ
التعبئة:
شريط وبكرة (TR)
@ الكمية:
0
درجة حرارة العمل:
-55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
نوع FET:
قناة N وP، الصرف المشترك
ميزة FET:
بوابة المستوى المنطقي
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss):
80 فولت
نوع التثبيت:
جبل السطح
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs:
18nC @ 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs:
80 مللي أوم عند 4.3 أمبير، 10 فولت
أقصى القوة:
1.3 واط
Vgs (th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
السلسلة:
PowerTrench®
المصنع:
نصف
مقدمة
FDD3510H،من onsemi،هو MOSFET. ما نقدم لديه سعر تنافسي في السوق العالمية،والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
منتجات ذات صلة
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: