STGW30NC120HD
المواصفات
تيار تسرب بواعث البوابة:
+/- 100 غ
فئة المنتج:
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
Pd - تبديد القوة:
220 واط
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
1200 فولت
الحزمة / الحقيبة:
TO-247-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 150 درجة مئوية
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة:
+/- 25 فولت
التعبئة:
أنبوب
التكوين:
العازب
جامع باعث تشبع الجهد:
2.75 فولت
المصنع:
STMيكروإلكترونيات
مقدمة
STGW30NC120HD،من STMicroelectronics، هي ترانزستورات IGBT. ما نقدم له سعر تنافسي في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products

STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

STGW45HF60WD
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT

STGW40H120F2
صورة | جزء # | الوصف | |
---|---|---|---|
![]() |
STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
|
![]() |
STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
|
|
![]() |
STGW40H120F2 |
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: