STGW40H120F2
الصانع:
STMيكروإلكترونيات
الفئة:
أشباه الموصلات
المواصفات
تيار تسرب بواعث البوابة:
250 غ
فئة المنتج:
الترانزستورات IGBT
أسلوب التركيب:
من خلال الثقب
تيار المجمع المستمر عند 25 درجة مئوية:
80 أ
Pd - تبديد القوة:
468 واط
المجمع- الجهد الباعث VCEO Max:
1200 فولت
الحزمة / الحقيبة:
TO-247-3
أقصى درجة حرارة للتشغيل:
+ 175 ج
الحد الأقصى لجهد باعث البوابة:
20 فولت
التعبئة:
أنبوب
التكوين:
العازب
جامع باعث تشبع الجهد:
2.1 فولت
المصنع:
STMيكروإلكترونيات
مقدمة
STGW40H120F2، من STMicroelectronics، هي ترانزستورات IGBT. ما نقدم له أسعار تنافسية في السوق العالمية، والتي هي في أجزاء أصلية وجديدة.إذا كنت ترغب في معرفة المزيد عن المنتجات أو تطبيق سعر أقل، يرجى الاتصال بنا من خلال المحادثة عبر الإنترنت أو إرسال عرض عمل لنا!
Related Products
STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
STGW45HF60WD
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
| صورة | جزء # | الوصف | |
|---|---|---|---|
|
|
STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
|
أرسل RFQ
الأسهم:
الـ MOQ: